一種TVS二極管的制作方法

本實用新型涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TVS二極管。

背景技術(shù)：

二極管的分類有很多種，其中一種是TVS二極管(瞬態(tài)電壓抑制二極管)，該類二極管在反向應用條件下，當所加電壓在一定范圍內(nèi)變化時能迅速由原來的高阻抗變到很低的導通值，把電壓籍位到預定電壓，從而有效地消除對敏感系統(tǒng)設備、元件的危害。TVS可用于防雷擊、防過電壓、抗干擾、吸收浪涌功率等，是一種理想的保護器件。現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用紙源兩次擴散單個結(jié)的生產(chǎn)工藝生產(chǎn)TVS二極管芯片，其存在問題是:使用單個擴散結(jié)生產(chǎn)TVS二極管芯片時，反向擊穿時，臺面的表面擊穿電壓低于體內(nèi)擊穿電壓，造成表面擊穿先于體內(nèi)擊穿，擊穿電流集中分布在臺面附近，臺面由硅與玻璃層組成，相互應力較大，造成反向擊穿漏電較大。因為漏電變大造成結(jié)溫升高，產(chǎn)品可靠性變差等問題。還有，由于二極管焊接到電路板上時，需要將引線彎折，這樣就極易引起引線內(nèi)部出現(xiàn)斷裂、松動，使得產(chǎn)品失去電連接性能而成為廢品。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決上述背景技術(shù)中提到的問題，本實用新型提供一種TVS二極管。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術(shù)方案：

一種TVS二極管，包括殼體，所述殼體內(nèi)設有芯片，且芯片由N型半導體和P型半導體組成，N型半導體和P型半導體的交界處形成PN結(jié)，所述N型半導體和P型半導體的外壁一側(cè)均焊接有合金層，且合金層的外壁一側(cè)通過金屬觸點焊接有引線，所述殼體內(nèi)填充有保護膠，所述引線穿過殼體的內(nèi)壁向外延伸，且引線的外壁套接有環(huán)形限位塊，殼體的內(nèi)壁設有與環(huán)形限位塊對應的環(huán)形限位槽，所述殼體的下端外壁固定連接有兩個對稱的凹槽，且凹槽內(nèi)通過彈簧固定連接有凸起，所述殼體的上端外壁內(nèi)設有與卡塊對應的卡接槽。

優(yōu)選地，所述N型半導體和P型半導體交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀。

優(yōu)選地，所述保護膠為環(huán)氧樹脂制成。

優(yōu)選地，所述引線彎曲90度并穿過殼體的側(cè)壁向外延伸。

優(yōu)選地，所述殼體的外表面涂覆有阻燃層，且阻燃層包括水性聚氨酯阻燃涂料層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：N型半導體和P型半導體交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀，通過增加PN結(jié)的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導體和P型半導體的外壁一側(cè)均通過冶金熔焊有合金層，使得結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固，合金層的外壁一側(cè)通過金屬觸點連接有引線，由于引線彎曲90度并穿過殼體的側(cè)壁向外延伸，無需再次人工彎曲，減少引線的彎曲損耗，同時在引線的外壁套接有環(huán)形限位塊，能夠有效避免引線出現(xiàn)拉扯時而導致芯片的拉傷和斷裂，同時將卡塊插接至另一個二極管上的卡接槽內(nèi)，實現(xiàn)多個二極管的串聯(lián)使用。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，易操作，實現(xiàn)了多個二極管的串聯(lián)使用，同時有效避免了芯片的斷裂和損傷。

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型A結(jié)構(gòu)放大示意圖。

圖中：殼體1、保護膠2、N型半導體3、P型半導體4、合金層5、金屬觸點6、引線7、環(huán)形限位塊8、環(huán)形限位槽9、阻燃層10、卡接槽11、卡塊12、凸起13、凹槽14、彈簧15。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

參照圖1-2，一種TVS二極管，包括殼體1，殼體1內(nèi)設有芯片，且芯片由N型半導體3和P型半導體4組成，N型半導體3和P型半導體4的交界處形成PN結(jié)，N型半導體3和P型半導體4的外壁一側(cè)均焊接有合金層5，且合金層5的外壁一側(cè)通過金屬觸點6焊接有引線7，殼體1內(nèi)填充有保護膠2，引線7穿過殼體1的內(nèi)壁向外延伸，且引線7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，殼體1的內(nèi)壁設有與環(huán)形限位塊8對應的環(huán)形限位槽9，殼體1的下端外壁固定連接有兩個對稱的凹槽14，且凹槽14內(nèi)通過彈簧15固定連接有凸起13，殼體1的上端外壁內(nèi)設有與卡塊12對應的卡接槽11。

具體的，N型半導體3和P型半導體4交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀，通過增加PN結(jié)的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力。

具體的，保護膠2為環(huán)氧樹脂制成，能夠起到有效的保護作用。

具體的，引線7彎曲90度并穿過殼體1的側(cè)壁向外延伸，無需再次人工彎曲，減少引線7的彎曲損耗。

具體的，殼體1的外表面涂覆有阻燃層10，且阻燃層10包括水性聚氨酯阻燃涂料層，可以阻止二極管發(fā)生自燃現(xiàn)象，提高了二極管的安全性。

工作原理：本實用新型中，N型半導體3和P型半導體4交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀，通過增加PN結(jié)的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導體3和P型半導體4的外壁一側(cè)均通過冶金熔焊有合金層5，使得結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固，合金層5的外壁一側(cè)通過金屬觸點6連接有引線7，由于引線7彎曲90度并穿過殼體1的側(cè)壁向外延伸，無需再次人工彎曲，減少引線7的彎曲損耗，同時在引線7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，能夠有效避免引線7出現(xiàn)拉扯時而導致芯片的拉傷和斷裂，同時將卡塊12插接至另一個二極管上的卡接槽11內(nèi)，實現(xiàn)多個二極管的串聯(lián)使用。

以上，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實用新型的技術(shù)方案及其實用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。

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